MOSFET canal N onsemi 80 A 100 V Enrichissement, 8 broches, DFN FDWS AEC-Q101

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Code commande RS:
185-9082
Référence fabricant:
FDWS86068-F085
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

FDWS

Type de Boitier

DFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

6.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

31nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

214W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.3mm

Longueur

5.1mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.05mm

Standard automobile

AEC-Q101

Non conforme RoHS

Pays d'origine :
PH
MOSFET N-Channel PowerTrench® 100V, 80A, 4,5 mΩ

RDS(on) type = 5,2 mΩ à VGS = 10 V, ID = 80 A.

Qg(tot) typique = 31 nC à VGS = 10 V, ID = 80 A.

Capacité UIS

Ces dispositifs sont sans plomb

Flancs mouillables pour l'inspection optique automatique (AOI)

Applications

Commande de moteurs automobiles

Gestion de groupe propulseur

Drivers de solénoïde et de moteur

Direction électronique

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