MOSFET onsemi canal N, DFN 80 A 100 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 185-9082
- Référence fabricant:
- FDWS86068-F085
- Marque:
- onsemi
3000 En stock pour livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 4)
3,155 €
HT
3,786 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 4 - 36 | 3,155 € | 12,62 € |
| 40 - 396 | 2,683 € | 10,732 € |
| 400 - 1996 | 2,158 € | 8,632 € |
| 2000 - 3996 | 1,873 € | 7,492 € |
| 4000 + | 1,818 € | 7,272 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 185-9082
- Référence fabricant:
- FDWS86068-F085
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Non conforme RoHS
- Pays d'origine :
- PH
Détail produit
MOSFET N-Channel PowerTrench® 100V, 80A, 4,5 mΩ
RDS(on) type = 5,2 mΩ à VGS = 10 V, ID = 80 A.
Qg(tot) typique = 31 nC à VGS = 10 V, ID = 80 A.
Capacité UIS
Ces dispositifs sont sans plomb
Flancs mouillables pour l'inspection optique automatique (AOI)
Applications
Commande de moteurs automobiles
Gestion de groupe propulseur
Drivers de solénoïde et de moteur
Direction électronique
Qg(tot) typique = 31 nC à VGS = 10 V, ID = 80 A.
Capacité UIS
Ces dispositifs sont sans plomb
Flancs mouillables pour l'inspection optique automatique (AOI)
Applications
Commande de moteurs automobiles
Gestion de groupe propulseur
Drivers de solénoïde et de moteur
Direction électronique
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 80 A |
| Tension Drain Source maximum | 100 V |
| Type de boîtier | DFN |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 6,4 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 214 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Longueur | 5.1mm |
| Largeur | 6.3mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Standard automobile | AEC-Q101 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Tension directe de la diode | 1.3V |
| Hauteur | 1.05mm |
Nos clients ont également consulté
- MOSFET onsemi canal N, DFN 80 A 100 V, 8 broches
- MOSFET onsemi canal N, H-PSOF8L 240 A 100 V, 8 broches
- MOSFET onsemi canal N, PSOF 169 A 150 V, 8 broches
- MOSFET onsemi canal N/P, SOIC 3,5 A, 4,5 A 60 V, 8 broches
- MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 50 A 150 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 20 A 60 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N, DFN 80 A 40 V, 5 broches