MOSFET canal N onsemi 61 A 80 V N, 8 broches, DFN NTMFS
- Code commande RS:
- 229-6475
- Référence fabricant:
- NTMFSC010N08M7
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 229-6475
- Référence fabricant:
- NTMFSC010N08M7
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 61A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Série | NTMFS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 78.1W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 38nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Largeur | 950μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 61A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier DFN | ||
Série NTMFS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 78.1W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 38nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.25mm | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Largeur 950μm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor MOSFET à canal N est produit à l'aide d'un processus Advanced Power Trench. Les progrès dans les technologies de boîtier au silicium et double refroidissement ont été combinés pour offrir la plus faible résistance à l'état passant tout en maintenant d'excellentes performances de commutation par une très faible jonction à la résistance thermique ambiante.
Capacité thermique améliorée du boîtier
Réduit la perte de conduction
Amélioration de l'efficacité du système
Le matériau du boîtier est conforme aux dernières exigences
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 61 A 80 V N DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 136 A 80 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 119 A 80 V Enrichissement DFN-5 NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 154 A 80 V Enrichissement DFN-5 NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 181 A 80 V Enrichissement DFN-5 NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 116 A 100 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 365 A 25 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 131 A 100 V N DFN NTMFS