MOSFET canal N onsemi 61 A 80 V N, 8 broches, DFN NTMFS
- Code commande RS:
- 229-6474
- Référence fabricant:
- NTMFSC010N08M7
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 229-6474
- Référence fabricant:
- NTMFSC010N08M7
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 61A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Série | NTMFS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 78.1W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 38nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 950μm | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 61A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier DFN | ||
Série NTMFS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 78.1W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 38nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 950μm | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.25mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor MOSFET à canal N est produit à l'aide d'un processus Advanced Power Trench. Les progrès dans les technologies de boîtier au silicium et double refroidissement ont été combinés pour offrir la plus faible résistance à l'état passant tout en maintenant d'excellentes performances de commutation par une très faible jonction à la résistance thermique ambiante.
Capacité thermique améliorée du boîtier
Réduit la perte de conduction
Amélioration de l'efficacité du système
Le matériau du boîtier est conforme aux dernières exigences
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