MOSFET P Vishay 30.3 A 30 V Enrichissement, 6 broches, SC-70 SiA471DJ

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Code commande RS:
188-5019
Numéro d'article Distrelec:
304-38-845
Référence fabricant:
SiA471DJ-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30.3A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

SiA471DJ

Type de Boitier

SC-70

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

24mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +16V

Tension directe Vf

-1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

19.2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18.5nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

2.15mm

Normes/homologations

No

Longueur

2.15mm

Hauteur

750μm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal P 30 V (D-S).

Transistor MOSFET de puissance à canal P TrenchFET ® Gen IV

Boîtier PowerPAK ® SC-70 thermiquement amélioré

La très faible zone RDS(on) x minimise la perte de puissance sur un espace de CI limité

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