- Code commande RS:
- 188-5097
- Référence fabricant:
- SIRA99DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- 188-5097
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- SIRA99DP-T1-GE3
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- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal P 30 V (D-S).
Transistor MOSFET de puissance à canal P TrenchFET ® Gen IV
Très faible RDS(on) minimise la chute de tension et réduit la perte de conduction
Elimine le besoin de pompe de charge
Très faible RDS(on) minimise la chute de tension et réduit la perte de conduction
Elimine le besoin de pompe de charge
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | 195 A |
Tension Drain Source maximum | 30 V |
Type de boîtier | PowerPAK SO-8 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 8 |
Résistance Drain Source maximum | 2,6 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 2.5V |
Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
Dissipation de puissance maximum | 104 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -20 V, +16 V. |
Largeur | 5mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Longueur | 5.99mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 172,5 nC @ 10 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 1.07mm |
Tension directe de la diode | 1.1V |
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