MOSFET canal N onsemi 20 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220
- Code commande RS:
- 189-0401
- Référence fabricant:
- NTPF190N65S3HF
- Marque:
- onsemi
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 189-0401
- Référence fabricant:
- NTPF190N65S3HF
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 36W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 16.12mm | |
| Largeur | 4.9mm | |
| Longueur | 10.63mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 36W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 16.12mm | ||
Largeur 4.9mm | ||
Longueur 10.63mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle famille de transistors MOSFET à super jonction (SJ) haute tension d'ON Semiconductor qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SUPERFET III est très adapté aux différents systèmes d'alimentation pour la miniaturisation et un rendement plus élevé. Les performances de récupération inverse optimisées du transistor MOSFET FRFET SUPERFET III de la diode de corps peuvent éliminer des composants supplémentaires et améliorer la fiabilité du système.
700 V @ TJ = 150 °C
Très faible charge de grille (typ. Qg = 35 nC)
Faible capacité de sortie effective (typ. COSS(eff.) = 467 pF)
Faible capacité de sortie effective (typ. COSS(eff.) = 467 pF)
Capacité optimisée
Typ. RDS(on) = 161 mΩ
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Perte de commutation plus faible
Perte de commutation plus faible
Plus grande fiabilité du système dans le circuit de pont complet à décalage déphasé et LLC
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Applications
Informatique
Grand public
Industriel
Produits finis
Ordinateur portable/ordinateur de bureau/console de jeux
Télécom/serveur
Eclairage/ballast à LED
Adaptateur
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