MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STB
- Code commande RS:
- 192-4936
- Référence fabricant:
- STB18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 192-4936
- Référence fabricant:
- STB18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | STB | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 280mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.37mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série STB | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 280mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.37mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La nouvelle technologie MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. STMicroelectronics s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.
Pertes de commutation réduites
RDS(on) inférieur par zone par rapport à la génération précédente
Faible résistance d'entrée de grille
Protégé contre les Zener
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