MOSFET canal Type N Infineon 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 600V CoolMOS C7 Non
- Code commande RS:
- 215-2497
- Référence fabricant:
- IPB60R180C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 078,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,078 € | 1 078,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-2497
- Référence fabricant:
- IPB60R180C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | 600V CoolMOS C7 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 180mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 0.9V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20 V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 68W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 15.88mm | |
| Longueur | 10.31mm | |
| Largeur | 4.57 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série 600V CoolMOS C7 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 180mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 0.9V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20 V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 68W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 15.88mm | ||
Longueur 10.31mm | ||
Largeur 4.57 mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon 600 V Cool MOS TM C7 Super Junction (SJ) MOSFET offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au Cool MOS TM CP, offrant un niveau de performances exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance. Les applications d'efficacité et de coût total de possession (TCO) telles que les centres de données hyper et les redresseurs de télécommunications à haut rendement (>96 %) bénéficient d'un rendement plus élevé offert par Cool MOS C7. Des gains de 0,3 à 0,7 % dans les topologies PFC et de 0,1 % dans les topologies LLC peuvent être obtenus. Dans le cas d'une alimentation de serveur de 2,5 kW, par exemple, l'utilisation de MOSFET SJ Cool MOS TM C7 600 V dans un boîtier TO-247 à 4 broches peut entraîner des réductions de coûts d'énergie d'environ 10 % pour la perte d'énergie de l'alimentation.
Paramètres de perte de commutation réduite tels que Q G, C oss, E oss
Valeur de mérite Q G*R DS(on) haut de gamme
Fréquence de commutation accrue
Meilleure R (on)*A au monde
Diode intégrée robuste
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