MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 13 A 600 V, 3 broches

La série Infineon 600 V Cool MOS TM C7 Super Junction (SJ) MOSFET offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au Cool MOS TM CP, offrant un niveau de performances exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance. Les applications d'efficacité et de coût total de possession (TCO) telles que les centres de données hyper et les redresseurs de télécommunications à haut rendement (>96 %) bénéficient d'un rendement plus élevé offert par Cool MOS C7. Des gains de 0,3 à 0,7 % dans les topologies PFC et de 0,1 % dans les topologies LLC peuvent être obtenus. Dans le cas d'une alimentation de serveur de 2,5 kW, par exemple, l'utilisation de MOSFET SJ Cool MOS TM C7 600 V dans un boîtier TO-247 à 4 broches peut entraîner des réductions de coûts d'énergie d'environ 10 % pour la perte d'énergie de l'alimentation.

Paramètres de perte de commutation réduite tels que Q G, C oss, E oss
Valeur de mérite Q G*R DS(on) haut de gamme
Fréquence de commutation accrue
Meilleure R (on)*A au monde
Diode intégrée robuste