MOSFET canal N Infineon 22 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB60R

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Code commande RS:
222-4892
Référence fabricant:
IPB60R099C7ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

22A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-263

Série

IPB60R

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

99mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La série Infineon 600 V CoolMOS TM C7 Superjonction (SJ) MOSFET offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au CoolMOS TM CP, offrant un niveau de performances exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance.

Paramètres de perte de commutation réduite tels que Q G, C oss, E oss

Valeur de mérite Q G*R DS(on) haut de gamme

Fréquence de commutation accrue

Meilleure R (on)*A au monde

Diode intégrée robuste

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