MOSFET canal N Infineon 11.4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 CoolMOS

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Code commande RS:
222-4660
Référence fabricant:
IPB65R310CFDAATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11.4A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

CoolMOS

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

310mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La conception Infineon de Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série C7 Cool MOS de 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Le C7 600 V est la première technologie jamais utilisée avec RDS(on) * A en dessous de 1 ohm * mm2.

Certifié AEC Q101

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