MOSFET canal N Infineon 22 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB60R
- Code commande RS:
- 222-4893
- Référence fabricant:
- IPB60R099C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 9,75 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
11,59 €
HT
13,91 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 3 030 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,795 € | 11,59 € | - |
| 10 - 18 | 4,82 € | 9,64 € | 9,75 € |
| 20 - 48 | 4,51 € | 9,02 € | 25,70 € |
| 50 - 98 | 4,23 € | 8,46 € | 78,25 € |
| 100 + | 3,88 € | 7,76 € | 191,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4893
- Référence fabricant:
- IPB60R099C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 22A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | IPB60R | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 99mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 22A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série IPB60R | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 99mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon 600 V CoolMOS TM C7 Superjonction (SJ) MOSFET offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au CoolMOS TM CP, offrant un niveau de performances exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance.
Paramètres de perte de commutation réduite tels que Q G, C oss, E oss
Valeur de mérite Q G*R DS(on) haut de gamme
Fréquence de commutation accrue
Meilleure R (on)*A au monde
Diode intégrée robuste
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 22 A 600 V Enrichissement TO-263 IPB60R
- MOSFET canal N Infineon 25 A 600 V Enrichissement TO-263 IPB60R
- MOSFET canal N Infineon 11.4 A 600 V Enrichissement TO-263 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 18 A 600 V Enrichissement TO-263 IPB65R
- MOSFET canal N Infineon 38 A 600 V Enrichissement TO-263 IPA60R
- MOSFET canal N Infineon 37 A 600 V Enrichissement TO-263 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 12 A 600 V Enrichissement TO-263 600V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 13 A 600 V Enrichissement TO-263 600V CoolMOS C7