MOSFET canal N Infineon 25 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB60R
- Code commande RS:
- 222-4890
- Référence fabricant:
- IPB60R090CFD7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
2 028,00 €
HT
2 434,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,028 € | 2 028,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4890
- Référence fabricant:
- IPB60R090CFD7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | IPB60R | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série IPB60R | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Superjonction Infineon 600 V CoolMOS TM CFD7 IPB60R090CFD7 dans un boîtier D2PAK est parfaitement adapté pour les topologies résonantes dans les alimentations à découpage haute puissance, telles que les serveurs, les télécommunications et les stations de charge EV, où il permet d'importantes améliorations de rendement. En tant que successeur de la famille CFD2 SJ MOSFET, il est fourni avec une charge de grille réduite, un comportement de mise hors tension amélioré et une charge de récupération inverse jusqu'à 69 % réduite par rapport aux concurrents.
Diode de corps ultrarapide
Charge de récupération inverse (QRR) de la meilleure classe
Diode inverse améliorée dv/dt et robustesse de/dt
Plus faible FOM RDS(on) x Qg et EOSS
Combinaisons RDS(on)/boîtier de la meilleure classe
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