MOSFET canal N Infineon 18 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB65R

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
222-4895
Référence fabricant:
IPB60R180P7ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

18A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

IPB65R

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

180mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjonction (SJ) MOSFET est le successeur de la série CoolMOS TM P6 600 V. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. La meilleure R onxA de classe et la faible charge de grille (Q G) inhérente à la plate-forme de 7e génération CoolMOS TM garantissent un haut rendement.

Robustesse ESD de ≥ 2 kV (HBM classe 2)

Résistance de porte intégrée R G

Diode intégrée robuste

Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface

Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles

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