MOSFET canal N Infineon 46 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB65R
- Code commande RS:
- 222-4896
- Référence fabricant:
- IPB65R045C7ATMA2
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
3 773,00 €
HT
4 528,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,773 € | 3 773,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4896
- Référence fabricant:
- IPB65R045C7ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | IPB65R | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série IPB65R | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon CoolMOS TM C7 de MOSFET à superjonction est un pas en avant révolutionnaire dans la technologie, fournissant le plus faible RDS(on)/boîtier au monde et, grâce à ses faibles pertes de commutation, des améliorations de rendement sur toute la gamme de charge.
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