MOSFET canal N Infineon 46 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB65R
- Code commande RS:
- 222-4897
- Référence fabricant:
- IPB65R045C7ATMA2
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 5 de plus pour économiser 4%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
10,66 €
HT
12,79 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 10,66 € | - |
| 5 - 9 | 10,13 € | 4% |
| 10 - 24 | 9,71 € | 8% |
| 25 - 49 | 9,28 € | 12% |
| 50 + | 8,64 € | 18% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4897
- Référence fabricant:
- IPB65R045C7ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | IPB65R | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série IPB65R | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon CoolMOS TM C7 de MOSFET à superjonction est un pas en avant révolutionnaire dans la technologie, fournissant le plus faible RDS(on)/boîtier au monde et, grâce à ses faibles pertes de commutation, des améliorations de rendement sur toute la gamme de charge.
Marge de sécurité améliorée et adaptée pour les applications SMPS et les applications d'inverseur solaire
Pertes/boîtier de conduction les plus faibles
Faibles pertes de commutation
Meilleure efficacité de charge légère
Augmentation de la densité de puissance
Excellente qualité CoolMOS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 46 A 650 V Enrichissement TO-263 IPB65R
- MOSFET canal N Infineon 18 A 600 V Enrichissement TO-263 IPB65R
- MOSFET canal N Infineon 31.2 A 650 V Enrichissement TO-263 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 50 A 650 V Enrichissement TO-263 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 31 A 650 V Enrichissement TO-263 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 24 A 650 V Enrichissement TO-263 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 46 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 23.8 A 650 V Enrichissement TO-263 CoolMOS P6