MOSFET N Infineon 50 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 CoolMOS

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Code commande RS:
222-4650
Référence fabricant:
IPB60R040C7ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Série

CoolMOS

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

40mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La conception Infineon de Cool MOS TM C7 est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série C7 Cool MOS de 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Le C7 600 V est la première technologie jamais utilisée avec RDS(on) * A en dessous de 1 ohm * mm2.

Adapté pour la commutation dure et douce (PFC et LLC hautes performances). Robustesse MOSFET dv/dt augmentée jusqu'à 120 V/ns

Rendement accru grâce aux meilleures performances de la classe FOM RDS(on) * Eoss et RDS(on) * Qg

Meilleur dans la classe RDS(on)/boîtier

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