MOSFET canal N Infineon 50 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4650
- Référence fabricant:
- IPB60R040C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
4 042,00 €
HT
4 850,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 4,042 € | 4 042,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4650
- Référence fabricant:
- IPB60R040C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série CoolMOS | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de Cool MOS TM C7 est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série C7 Cool MOS de 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Le C7 600 V est la première technologie jamais utilisée avec RDS(on) * A en dessous de 1 ohm * mm2.
Adapté pour la commutation dure et douce (PFC et LLC hautes performances). Robustesse MOSFET dv/dt augmentée jusqu'à 120 V/ns
Rendement accru grâce aux meilleures performances de la classe FOM RDS(on) * Eoss et RDS(on) * Qg
Meilleur dans la classe RDS(on)/boîtier
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