MOSFET canal N Infineon 23.8 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 CoolMOS P6

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130-0894
Référence fabricant:
IPB60R160P6ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

23.8A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Série

CoolMOS P6

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

44nC

Dissipation de puissance maximum Pd

176W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

900mV

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.31mm

Hauteur

9.45mm

Largeur

4.57mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6


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Transistors MOSFET, Infineon


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