MOSFET Infineon canal N, TO 263 50 A 650 V, 3 broches

La conception Infineon de Cool MOS TM C7 est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série C7 Cool MOS de 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Le C7 600 V est la première technologie jamais utilisée avec RDS(on) * A en dessous de 1 ohm * mm2.

Adapté pour la commutation dure et douce (PFC et LLC hautes performances). Robustesse MOSFET dv/dt augmentée jusqu'à 120 V/ns
Rendement accru grâce aux meilleures performances de la classe FOM RDS(on) * Eoss et RDS(on) * Qg
Meilleur dans la classe RDS(on)/boîtier