MOSFET N Infineon 18 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 IPB65R
- Code commande RS:
- 222-4894
- Référence fabricant:
- IPB60R180P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
933,00 €
HT
1 120,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,933 € | 933,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4894
- Référence fabricant:
- IPB60R180P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | IPB65R | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 180mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série IPB65R | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 180mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
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