MOSFET canal N Vishay 23 A 650 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK 8 x 8 EF
- Code commande RS:
- 200-6809
- Référence fabricant:
- SIHH125N60EF-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 200-6809
- Référence fabricant:
- SIHH125N60EF-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 23A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 8 x 8 | |
| Série | EF | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 125mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 47nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 156W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Hauteur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.05mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 23A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PowerPAK 8 x 8 | ||
Série EF | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 125mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 47nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 156W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 8.1mm | ||
Hauteur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.05mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 est un transistor MOSFET de puissance série EF avec diode à corps rapide.
Technologie série E de 4e génération
Faible valeur de mérite
Faible capacité efficace
Pertes de conduction et de commutation réduites
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
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