MOSFET canal N Vishay 5 A 850 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 E
- Code commande RS:
- 200-6867
- Référence fabricant:
- SIHD6N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,754 € | 18,85 € |
| 50 - 100 | 0,603 € | 15,08 € |
| 125 - 225 | 0,528 € | 13,20 € |
| 250 - 600 | 0,472 € | 11,80 € |
| 625 + | 0,464 € | 11,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6867
- Référence fabricant:
- SIHD6N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 850V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | E | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 950mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 62.5W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 850V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série E | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 950mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 62.5W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay SIHD6N80AE-GE3 est un transistor MOSFET de puissance série E.
Faible valeur de mérite
Faible capacité effective (Ciss)
Pertes de conduction et de commutation réduites
Très faible charge de grille (QG)
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
Protection ESD à diode Zener intégrée
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