MOSFET de puissance canal N Vishay 8 A 850 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 E

Code commande RS:: 228-2849
Référence fabricant:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET de puissance canal N Vishay 8 A 850 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 E

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Code commande RS:: 228-2849
Référence fabricant:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id	8A
	Tension Drain Source maximum Vds	850V
	Série	E
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	450mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	28nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd	78W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id 8A
	Tension Drain Source maximum Vds 850V
	Série E
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 450mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd 78W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile Non

Datasheet - SIHD11N80AE-T1-GE3

Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain maximale de 850 V, courant de drain continu maximum de 8 A - SIHD11N80AE-T1-GE3

Ce MOSFET de puissance est un dispositif d'amélioration à canal N haute tension conçu pour les tâches de commutation de puissance dans les applications à montage en surface. Il fonctionne sur une plage ambiante étendue et est adapté aux circuits nécessitant une capacité de tension drain-source élevée et une gestion modeste du courant continu. Le dispositif est fourni dans un boîtier TO-252 et est conforme à la directive RoHS.

Caractéristiques et avantages :

• La valeur nominale drain-source de 850 V permet une commutation haute tension
• Le courant de drain continu de 8 A prend en charge les courants de charge modérés
• Rds(on) de 450 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge
• Dissipation de puissance maximale de 78 W résistant à un stress thermique important
• La charge totale de la grille de 28 nC permet des transitions de grille plus rapides
• La chute de diode avant de 1,2 V minimise les pertes par conduction inverse

Applications

• Utilisé pour les convertisseurs et inverseurs à commutation haute tension
• Convient aux alimentations industrielles et aux rails auxiliaires
• Idéal pour les topologies en demi-pont et en mode commutation
• Peut être utilisé pour les étages de grille à entraînement motorisé avec un courant modeste
• Utilisé avec des cartes de gestion de l'alimentation discrètes dans les équipements grand public

Pour quelle plage de tension d'entraînement de grille dois-je concevoir?

Le dispositif tolère jusqu'à 30 V entre la porte et la source

concevoir des drivers de grille dans cette limite et sélectionner des tensions d'entraînement appropriées pour la vitesse de commutation et les marges de sécurité.

Comment la température affecte-t-elle le fonctionnement de l'appareil?

Conçu pour un fonctionnement de -55 °C à 150 °C, les performances thermiques dictent les cycles de service admissibles et peuvent nécessiter un dissipateur thermique ou des voies thermiques pour circuit imprimé pour maintenir les températures de jonction sous une dissipation élevée.

Quelles sont les considérations relatives au montage et à l'agencement qui sont importantes?

En tant que boîtier TO-252 à montage en surface, assurez-vous d'avoir une surface de cuivre adéquate pour la propagation de la chaleur et des voies courtes et à faible inductance pour le drain et la source afin d'améliorer les performances thermiques et de commutation.

Comment le type de canal influence-t-il la conception du circuit?

Le mode d'amélioration du canal N nécessite une tension de porte à la source positive pour la conduite, de sorte que la polarité et le niveau de commande de porte doivent être fournis en conséquence dans le circuit de commande.