MOSFET de puissance canal N Vishay 8 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 E

Code commande RS:: 210-4978
Référence fabricant:: SIHD11N80AE-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET de puissance canal N Vishay 8 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 E

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 271,00 €

2 724,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 15 mars 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,757 €	2 271,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 210-4978
Référence fabricant:: SIHD11N80AE-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id	8A
	Tension Drain Source maximum Vds	800V
	Série	E
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	391mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	28nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	78W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Tension directe Vf	1.2V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	6.4mm
	Normes/homologations	RoHS
	Longueur	9.4mm
	Hauteur	2.2mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id 8A
	Tension Drain Source maximum Vds 800V
	Série E
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 391mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 78W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Tension directe Vf 1.2V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 6.4mm
	Normes/homologations RoHS
	Longueur 9.4mm
	Hauteur 2.2mm
	Standard automobile Non

Datasheet - SIHD11N80AE-GE3

Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 800 V, dissipation de puissance de 78 W - SIHD11N80AE-GE3

Ce MOSFET de puissance est un transistor de commutation à canal N haute tension conçu pour la conversion de puissance à montage en surface et les applications de commutation. Il fonctionne sur une très large plage de températures et est destiné aux environnements exigeants où une gestion de tension de drain-source élevée et une capacité de courant modérée sont requises, tout en étant conforme aux restrictions RoHS.

Caractéristiques et avantages :

• La valeur nominale drain-source de 800 V permet des topologies haute tension
• Le courant de drain continu de 8 A prend en charge les circuits d'alimentation modérés
• Rds(on) de 391 mΩ réduit les pertes de conduction au courant nominal
• Dissipation de puissance maximale de 78 W permettant une manipulation thermique substantielle
• La charge de grille typique de 28 nC fournit une énergie de commutation prévisible
• Le seuil de grille de 30 V s'adapte aux tensions d'entraînement de grille standard

Applications

• Adapté aux alimentations à découpage haute tension
• Idéal pour les étages de convertisseur demi-pont et élévateur
• Utilisé avec les extrémités avant d'entraînement de moteur industriel
• Peut être utilisé pour le chargeur hors ligne et le contrôle de l'éclairage
• Adapté aux modules de télécommunications et de distribution d'énergie

Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il?

Il est fourni dans un boîtier TO-252 destiné à un montage en surface pour faciliter le couplage thermique au cuivre de circuit imprimé.

Quelle plage thermique peut-il supporter pendant le fonctionnement?

Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des conditions de température difficiles.

Comment la tension directe affecte-t-elle les calculs de perte de puissance?

Une tension directe de 1,2 V doit être incluse lors de l'estimation des pertes de conduction et de commutation dans les intervalles de conduction des diodes et les arrangements synchrones.

Quelles sont les limites d'entraînement de grille à respecter?

La tension maximale de la source de la grille est de 30 V, de sorte que les drivers de grille et la protection doivent empêcher les excursions au-delà de cette valeur.