MOSFET 2 canal N Double Vishay 19.1 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAIR 3 x 3S SiZ270DT Non

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204-7264
Référence fabricant:
SIZ270DT-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

19.1A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

SiZ270DT

Type de Boitier

PowerPAIR 3 x 3S

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0377Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

13.3nC

Dissipation de puissance maximum Pd

33W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3.3mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.3mm

Hauteur

0.75mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Les MOSFET 100 V (D-S) double canal N de Vishay sont des demi-étages de puissance de pont MOSFET intégrés et offrent un rapport QGS/QGS optimisé pour améliorer les caractéristiques de commutation.

Testé à 100 % Rg et ISU

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