MOSFET 2 canal N Double Vishay 32.5 A 70 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAIR 3 x 3S TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 228-2935
- Référence fabricant:
- SiZ254DT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 228-2935
- Référence fabricant:
- SiZ254DT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 32.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 70V | |
| Type de Boitier | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0161Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 33W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 32.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 70V | ||
Type de Boitier PowerPAIR 3 x 3S | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0161Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 33W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET 70 V (D-S) double canal N de Vishay.
Testé à 100 % Rg et ISU
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