MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 30.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333 DMT47 AEC-Q101

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Code commande RS:
206-0143
Référence fabricant:
DMT47M2LDV-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30.2A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

DMT47

Type de Boitier

PowerDI3333

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.015Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.72nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

14.8W

Tension directe Vf

900mV

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

850μm

Normes/homologations

RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101

Largeur

3.4mm

Longueur

3.4mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET DiodesZetex 40 V, 8 broches à mode d'amélioration canal N double est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 2,34 W.

Rendement de conversion élevé

Faible RDS(ON) - minimise les pertes d'état

Vitesse de commutation élevée

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