MOSFET canal N DiodesZetex 20.1 kA 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMTH10
- Code commande RS:
- 206-0158
- Référence fabricant:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
2 520,00 €
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3 025,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,008 € | 2 520,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 206-0158
- Référence fabricant:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20.1kA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060 | |
| Série | DMTH10 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.7W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Hauteur | 900μm | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20.1kA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerDI5060 | ||
Série DMTH10 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.7W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.15mm | ||
Hauteur 900μm | ||
Largeur 5.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET DiodesZetex 100 V, 8 broches à mode d'amélioration canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce dispositif est idéal pour une utilisation dans la gestion de l'alimentation et le commutateur de charge des batteries d'ordinateur portable. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 2,7 W.
Faible résistance à l'état passant
Vitesse de commutation élevée
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