MOSFET canal N DiodesZetex 20.1 kA 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMTH10

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
206-0159
Référence fabricant:
DMTH10H4M5LPS-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

20.1kA

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PowerDI5060

Série

DMTH10

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

6.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.7W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.15mm

Hauteur

900μm

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET DiodesZetex 100 V, 8 broches à mode d'amélioration canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce dispositif est idéal pour une utilisation dans la gestion de l'alimentation et le commutateur de charge des batteries d'ordinateur portable. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 2,7 W.

Faible résistance à l'état passant

Vitesse de commutation élevée

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