MOSFET DiodesZetex canal N, PowerDI5060-8 100 A 100 V, 8 broches

Code commande RS:: 206-0159
Référence fabricant:: DMTH10H4M5LPS-13
Marque:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex canal N, PowerDI5060-8 100 A 100 V, 8 broches

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Prix pour l'unité (par multiple de 5)

2,346 €

2,815 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	2,346 €	11,73 €
50 - 95	2,062 €	10,31 €
100 - 245	2,012 €	10,06 €
250 - 995	1,958 €	9,79 €
1000 +	1,908 €	9,54 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 206-0159
Référence fabricant:: DMTH10H4M5LPS-13
Marque:: DiodesZetex

Documentation technique

Datasheet - DMTH10H4M5LPS-13

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

Le MOSFET DiodesZetex 100 V, 8 broches à mode d'amélioration canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce dispositif est idéal pour une utilisation dans la gestion de l'alimentation et le commutateur de charge des batteries d'ordinateur portable. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 2,7 W.

Faible résistance à l'état passant
Vitesse de commutation élevée

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	100 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Série	DMTH10
Type de boîtier	PowerDI5060-8
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	0,0062 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.5V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si

MOSFET DiodesZetex canal N, PowerDI5060-8 100 A 100 V, 8 broches

Documentation technique

Législation et Conformité

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