MOSFET canal N Vishay 130 A 40 V Enrichissement, 4 broches, SO-8 SQJ144EP AEC-Q101

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Code commande RS:
210-5037
Référence fabricant:
SQJ144EP-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

130A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

SO-8

Série

SQJ144EP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

3.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

26nC

Dissipation de puissance maximum Pd

148W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5mm

Hauteur

1.1mm

Largeur

6.25mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET à canal N pour l'automobile Vishay 40 V (D-S) 175 °C est doté d'un boîtier PowerPAK SO-8L avec un courant de drain de 130 A.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET Gen IV

Certifié AEC-Q101

Testé à 100 % Rg et ISU

Le rapport QGD/QGS < 1 optimise les caractéristiques de commutation

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