MOSFET canal N Vishay 130 A 40 V Enrichissement, 4 broches, SO-8 SQJ144EP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 210-5038
- Référence fabricant:
- SQJ144EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 210-5038
- Référence fabricant:
- SQJ144EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 130A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | SQJ144EP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 148W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 26nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 6.25mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 130A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série SQJ144EP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 148W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 26nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 6.25mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET à canal N pour l'automobile Vishay 40 V (D-S) 175 °C est doté d'un boîtier PowerPAK SO-8L avec un courant de drain de 130 A.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET Gen IV
Certifié AEC-Q101
Testé à 100 % Rg et ISU
Le rapport QGD/QGS < 1 optimise les caractéristiques de commutation
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