MOSFET canal N Infineon 1.5 A 20 V Enrichissement, 6 broches, US OptiMOS 2 AEC-Q101

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Code commande RS:
214-4333
Référence fabricant:
BSD214SNH6327XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

1.5A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

OptiMOS 2

Type de Boitier

US

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

250mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.8nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

0.5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.35mm

Normes/homologations

No

Longueur

2.02mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor à petit signal Infineon OptiMOS2 est qualifié conformément à AEC Q101.

Canal N.

Mode d'enrichissement

Niveau Super Logic (2,5 V nominal)

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