MOSFET canal N Infineon 1.5 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 OptiMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-5863
- Référence fabricant:
- BSS214NWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
282,00 €
HT
339,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,094 € | 282,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-5863
- Référence fabricant:
- BSS214NWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | SC-70 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 250mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -12V, +12V | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 800μm | |
| Longueur | 2mm | |
| Largeur | 1.25mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier SC-70 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 800μm | ||
Longueur 2mm | ||
Largeur 1.25mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain maximale de 20 V, courant de drain continu maximal de 1,5 A - BSS214NWH6327XTSA1
Caractéristiques et avantages :
• Rds(on) de 250 mΩ réduit les pertes de conduction dans les chemins de commutation
• La charge de grille typique de 0,8 nC prend en charge les transitions de grille rapides
• Le courant de drain continu de 1,5 A gère des courants de charge modestes
• La dissipation maximale de 500 mW permet un gain thermique sûr
• Le seuil de grille de 12 V maximise la flexibilité de l'entraînement de grille
Applications
• Idéal pour la gestion des batteries et les déconnexions de charge
• Utilisé avec la logique de commande dans les modules d'alimentation distribués
• Peut être utilisé pour les petits étages de convertisseur c.c.-c.c.
• Convient à la commutation du chemin d'alimentation des appareils portables
Quelle plage thermique peut-il tolérer dans des environnements extrêmes?
Quelle est sa taille compacte pour les configurations de cartes à haute densité?
Quelles sont les limites d'entraînement de grille que les concepteurs doivent respecter?
Comment le dispositif se comporte-t-il sous charge continue?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 1.5 A 20 V Enrichissement SC-70 OptiMOS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 310 mA 20 V Enrichissement SC-70 OptiMOS P AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 1.4 A 20 V Enrichissement SC-70 OptiMOS 2 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 70 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS AEC-Q101
- MOSFET 2 canal N Isolé Infineon 300 mA 60 V Enrichissement SC-88 OptiMOS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 70 A 120 V Enrichissement TO-220 OptiMOS-T AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 70 A 120 V Enrichissement TO-252 OptiMOS-T AEC-Q101
- MOSFET 2 canal N Isolé Infineon 950 mA 20 V Enrichissement SC-88 OptiMOS 2 AEC-Q101
