MOSFET canal N Infineon 4 A 800 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 800V CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 214-4401
- Référence fabricant:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*
1 038,00 €
HT
1 245,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 24 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,346 € | 1 038,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4401
- Référence fabricant:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | 800V CoolMOS P7 | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 7W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série 800V CoolMOS P7 | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 7W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.7mm | ||
Largeur 3.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon 800 V Cool MOS P7 de MOSFET à super jonction est une solution parfaite pour les applications SMPS à faible consommation en répondant entièrement aux besoins du marché en termes de performances, de facilité d'utilisation et de rapport prix/performances. Il se concentre principalement sur les applications à la volée, y compris l'adaptateur et le chargeur, le driver de LED, les SMPS audio, les AUX et l'alimentation industrielle.
Il est doté d'une gamme entièrement optimisée
Il offre un coût d'assemblage plus faible
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 4 A 800 V Enrichissement SOT-223 800V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 1.5 A 800 V Enrichissement SOT-223 CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 7 A 800 V Enrichissement SOT-223 CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 6 A 800 V Enrichissement SOT-223 CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 8 A 800 V Enrichissement SOT-223 CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 6 A 950 V Enrichissement SOT-223 CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 3 A 800 V Enrichissement TO-252 800V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 17 A 800 V Enrichissement TO-220 800V CoolMOS P7