MOSFET canal N Infineon 4 A 800 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 800V CoolMOS P7

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Code commande RS:
214-4401
Référence fabricant:
IPN80R1K4P7ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

SOT-223

Série

800V CoolMOS P7

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Dissipation de puissance maximum Pd

7W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

900mV

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.7mm

Longueur

6.7mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.8mm

Standard automobile

Non

La série Infineon 800 V Cool MOS P7 de MOSFET à super jonction est une solution parfaite pour les applications SMPS à faible consommation en répondant entièrement aux besoins du marché en termes de performances, de facilité d'utilisation et de rapport prix/performances. Il se concentre principalement sur les applications à la volée, y compris l'adaptateur et le chargeur, le driver de LED, les SMPS audio, les AUX et l'alimentation industrielle.

Il est doté d'une gamme entièrement optimisée

Il offre un coût d'assemblage plus faible

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