MOSFET N Infineon 160 A 40 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 OptiMOS-T AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 574,00 €

HT

1 889,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 1 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,574 €1 574,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
214-9017
Référence fabricant:
IPB160N04S203ATMA4
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

160A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-263

Série

OptiMOS-T

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

2.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

La gamme Infineon de produits OptiMOS est disponible en boîtiers hautes performances pour s'attaquer aux applications les plus difficiles, offrant une flexibilité totale dans les espaces limités. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser. Ce sont des boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité supérieures.

Le produit est certifié AEC Q101 pour l'automobile

Testé à 100 % en avalanche

Sa température d'utilisation est de 175 °C.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.