MOSFET canal N Infineon 90 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101

Code commande RS:: 214-9054
Référence fabricant:: IPD90N04S403ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 90 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 200,00 €

1 450,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,48 €	1 200,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 214-9054
Référence fabricant:: IPD90N04S403ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	90A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	OptiMOS-T2
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	3.2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	94W
	Tension directe Vf	1.3V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	51nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	6.22mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	2.3mm
	Longueur	6.5mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 90A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série OptiMOS-T2
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 3.2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 94W
	Tension directe Vf 1.3V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 51nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 6.22mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 2.3mm
	Longueur 6.5mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - IPD90N04S403ATMA1

Transistor MOSFET OptiMOS-T2 Infineon, tension de source de drain maximale de 40 V, courant de drain continu maximal de 90 A - IPD90N04S403ATMA1

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N à montage en surface conçu pour la commutation et la conversion de puissance dans des environnements exigeants. Il fonctionne sur une large plage de températures et supporte des courants de drain continus élevés, ce qui le rend adapté aux conditions de contrainte thermique et électrique dans les contextes automobiles et industriels.

Caractéristiques et avantages :

• La tension maximale drain-source de 40 V permet des étages de puissance robustes à basse tension
• Le courant de drain continu de 90 A prend en charge l'alimentation à courant élevé
• La valeur Rds(on) maximale de 3,2 mΩ minimise les pertes de conduction sous charge
• Dissipation de puissance maximale de 94 W permettant une manipulation thermique substantielle
• La charge de grille typique de 51 nC permet un comportement de commutation prévisible
• La tension maximale grille-source de 20 V préserve la marge d'isolation de la grille

Applications

• Convient aux étages de puissance des convertisseurs c.c.-c.c. dans les véhicules
• Idéal pour la commutation de charges à courant élevé dans les systèmes automobiles
• Utilisé avec les assemblages à montage en surface nécessitant des dispositifs d'alimentation compacts
• Peut être utilisé pour le redressement synchrone dans les convertisseurs
• Utilisé pour les étages de puissance à tolérance thermique exposés à de larges températures

Quelle plage ambiante peut-il tolérer pendant le fonctionnement?

Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à 175 °C, offrant une large tolérance thermique.

Quel type de boîtier est utilisé pour le montage sur carte?

Il est fourni dans un boîtier TO-252 pour les applications à montage en surface.

Combien de connexions électriques le dispositif fournit-il?

Il est doté de trois broches pour les connexions de drain, de porte et de source standard.

Quelle est la polarité du canal et le mode de fonctionnement?

Le dispositif utilise un canal de type N et fonctionne en mode d'enrichissement.

Quelle tension directe peut-on attendre pendant la conduction?

La tension directe est spécifiée à 1,3 V pour la caractérisation de la conduction.