MOSFET canal N Infineon 16 A 600 V Enrichissement, 5 broches, VSON CoolMOS CFD7
- Code commande RS:
- 214-9071
- Référence fabricant:
- IPL60R160CFD7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
3 945,00 €
HT
4 734,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 19 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,315 € | 3 945,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-9071
- Référence fabricant:
- IPL60R160CFD7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | CoolMOS CFD7 | |
| Type de Boitier | VSON | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 160mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 95W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 31nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série CoolMOS CFD7 | ||
Type de Boitier VSON | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 160mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 95W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 8.1mm | ||
Longueur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. Le dernier CoolMOS CFD7 est le successeur de la série CoolMOS CFD2 et est une plate-forme optimisée adaptée pour les applications de commutation douce cibles telles que le pont complet à décalage de phase (ZVS) et LLC. La technologie CFD7 CoolMOS répond aux normes de rendement et de fiabilité les plus élevées et prend en charge des solutions haute densité de puissance. Dans l'ensemble, CoolMOS CFD7 rend les topologies de commutation résonantes plus efficaces, plus fiables, plus légères et plus froides.
Diode de corps ultrarapide
Faible charge de grille
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 16 A 600 V Enrichissement VSON CoolMOS CFD7
- MOSFET canal N Infineon 38 A 600 V Enrichissement TO-247 CoolMOS CFD7
- MOSFET canal N Infineon 18 A 600 V Enrichissement TO-247 CoolMOS CFD7
- MOSFET canal N Infineon 14 A 600 V Enrichissement TO-220 CoolMOS CFD7
- MOSFET canal N Infineon 25 A 600 V Enrichissement TO-220 CoolMOS CFD7
- MOSFET canal N Infineon 50 A 600 V Enrichissement TO-247 CoolMOS CFD7
- MOSFET canal N Infineon 13 A 600 V Enrichissement ThinPAK 600V CoolMOS CFD7
- MOSFET canal N Infineon 7 A 600 V Enrichissement TO-220 CoolMOS CFD7