MOSFET canal N Infineon 16 A 600 V Enrichissement, 5 broches, VSON CoolMOS CFD7

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Code commande RS:
214-9072
Référence fabricant:
IPL60R160CFD7AUMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

16A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

VSON

Série

CoolMOS CFD7

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

31nC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

95W

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

8.1mm

Largeur

8.1mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. Le dernier CoolMOS CFD7 est le successeur de la série CoolMOS CFD2 et est une plate-forme optimisée adaptée pour les applications de commutation douce cibles telles que le pont complet à décalage de phase (ZVS) et LLC. La technologie CFD7 CoolMOS répond aux normes de rendement et de fiabilité les plus élevées et prend en charge des solutions haute densité de puissance. Dans l'ensemble, CoolMOS CFD7 rend les topologies de commutation résonantes plus efficaces, plus fiables, plus légères et plus froides.

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