MOSFET canal N Infineon 22.4 A 600 V Enrichissement, 5 broches, VSON CoolMOS P6
- Code commande RS:
- 214-9074
- Référence fabricant:
- IPL60R180P6AUMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 214-9074
- Référence fabricant:
- IPL60R180P6AUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 22.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | VSON | |
| Série | CoolMOS P6 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 180mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 176W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 44nC | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 22.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier VSON | ||
Série CoolMOS P6 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 180mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 176W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 44nC | ||
Largeur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 8.1mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série CoolMOS P6 combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Les dispositifs proposés offrent tous les avantages d'un transistor MOSFET SJ à commutation rapide tout en ne sacrifiant pas la facilité d'utilisation. Les pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles rendent les applications de commutation encore plus efficaces, plus compactes, plus légères et plus froides.
Robustesse MOSFET dv/dt améliorée
Facile à utiliser/à piloter
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