MOSFET canal N Infineon 8.4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS CE
- Code commande RS:
- 214-9102
- Référence fabricant:
- IPS60R800CEAKMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 75 unités)*
43,80 €
HT
52,57 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 200 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 75 + | 0,584 € | 43,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-9102
- Référence fabricant:
- IPS60R800CEAKMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-251 | |
| Série | CoolMOS CE | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 800mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 74W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-251 | ||
Série CoolMOS CE | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 800mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 74W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 2.4mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. CoolMOS CE est une plate-forme optimisée pour des performances économiques qui permet de cibler les applications sensibles aux coûts sur les marchés grand public et de l'éclairage en respectant les normes de rendement les plus élevées. La nouvelle série offre tous les avantages d'un transistor MOSFET Super Junction à commutation rapide tout en ne sacrifiant pas la facilité d'utilisation et offrant le meilleur rapport de performances de réduction des coûts disponible sur le marché.
Facile à utiliser/à piloter
Robustesse de commutation très élevée
Qualifié pour les applications de qualité standard
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 8.4 A 600 V Enrichissement TO-251 CoolMOS CE
- MOSFET canal N Infineon 2.6 A 600 V Enrichissement TO-251 CoolMOS CE
- MOSFET canal N Infineon 8.7 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS CE
- MOSFET canal N Infineon 4 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 7.2 A 650 V Enrichissement TO-251 CoolMOS CE
- MOSFET canal N Infineon 10 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 8.5 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 6 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS