MOSFET canal N Infineon 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS C7

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Code commande RS:
214-9117
Référence fabricant:
IPW60R180C7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

13A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolMOS C7

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

180mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

24nC

Dissipation de puissance maximum Pd

68W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

900mV

Longueur

16.13mm

Normes/homologations

No

Hauteur

21.1mm

Largeur

5.21mm

Standard automobile

Non

Infineon CoolMOS C7 est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série CoolMOS C7 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Ils sont adaptés pour les fonctions de commutation dures et souples. Adapté pour les applications telles que les serveurs, les télécommunications et l'énergie solaire.

Adapté pour la commutation dure et souple

Qualifié pour les applications de classe industrielle conformément à JEDEC

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