MOSFET canal N Infineon 53.5 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS P6

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Code commande RS:
214-9120
Référence fabricant:
IPZ60R070P6FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

53.5A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolMOS P6

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

70mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

100nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

391W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

21.1mm

Longueur

16.13mm

Largeur

5.21mm

Standard automobile

Non

Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série CoolMOS P6 combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Les dispositifs proposés offrent tous les avantages d'un transistor MOSFET SJ à commutation rapide tout en ne sacrifiant pas la facilité d'utilisation. Les pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles rendent les applications de commutation encore plus efficaces, plus compactes, plus légères et plus froides.

Facile à utiliser/à piloter grâce à la broche source du driver pour un meilleur rendement Contrôle de la porte

Qualifié pour les applications de classe industrielle conformément à JEDEC

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