MOSFET canal N Infineon 42 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 214-9129
- Référence fabricant:
- IRFR4104TRLPBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,608 € | 16,08 € |
| 50 - 90 | 1,528 € | 15,28 € |
| 100 - 240 | 1,463 € | 14,63 € |
| 250 - 490 | 1,398 € | 13,98 € |
| 500 + | 1,302 € | 13,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-9129
- Référence fabricant:
- IRFR4104TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 42A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 59nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 2.39mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 42A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 59nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 2.39mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température de fonctionnement à jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure valeur nominale d'avalanche répétitive. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Il est fourni avec Advanced Process Technology
Le transistor MOSFET est sans plomb
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