MOSFET canal N Infineon 42 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 214-9128
- Référence fabricant:
- IRFR4104TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 692,00 €
HT
2 031,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,564 € | 1 692,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-9128
- Référence fabricant:
- IRFR4104TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 42A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 59nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2.39mm | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 42A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 59nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2.39mm | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température de fonctionnement à jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure valeur nominale d'avalanche répétitive. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Il est fourni avec Advanced Process Technology
Le transistor MOSFET est sans plomb
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