MOSFET canal N Infineon 160 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 166-0945
- Référence fabricant:
- IRLR8743PBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,594 € | 44,55 € |
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| 375 - 675 | 0,48 € | 36,00 € |
| 750 - 1425 | 0,474 € | 35,55 € |
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- Code commande RS:
- 166-0945
- Référence fabricant:
- IRLR8743PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 160A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 135W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 160A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 135W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Largeur 6.22mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 160A, dissipation de puissance maximale de 135W - IRLR8743TRPBF
Ce MOSFET est conçu pour des applications de haute performance dans les secteurs de l'automatisation et de l'électronique. Utilisant la technologie HEXFET, il permet d'obtenir une efficacité et une fiabilité significatives dans la gestion de l'énergie. Sa capacité à gérer des courants de vidange continus élevés lui permet de s'adapter à une grande variété d'environnements industriels.
Caractéristiques et avantages
• Gère un courant de vidange continu maximum de 160A pour une performance solide
• Tension drain-source maximale de 30V pour un fonctionnement fiable
• La faible valeur Rds(on) de 3,9mΩ minimise les pertes de puissance
• Conçu comme un transistor à mode d'amélioration pour améliorer l'efficacité de la commutation
• Les possibilités de montage en surface facilitent l'intégration dans les circuits
• Conçu pour des températures de fonctionnement élevées allant jusqu'à +175°C pour une meilleure gestion thermique
Applications
• Convertisseurs abaisseurs synchrones à haute fréquence dans les alimentations d'ordinateurs
• Convertisseurs DC-DC isolés dans les systèmes de télécommunications
• Systèmes industriels de gestion de l'énergie et d'automatisation
• Dispositifs nécessitant de faibles tensions de seuil de grille pour une commutation efficace
• Divers appareils électroniques nécessitant une solution d'alimentation compacte
Quel est l'impact des hautes températures sur ses performances ?
Le fonctionnement à des températures élevées améliore ses performances thermiques, ce qui lui permet de gérer efficacement des niveaux de puissance élevés tout en garantissant la stabilité dans des conditions difficiles.
Comment cette technologie améliore-t-elle l'efficacité des appareils électroniques ?
La technologie HEXFET réduit considérablement les pertes de puissance grâce à son faible Rds(on), ce qui permet aux dispositifs de fonctionner efficacement sous des charges élevées tout en générant moins de chaleur.
Peut-il être utilisé avec d'autres semi-conducteurs ?
Oui, il peut être intégré à d'autres composants semi-conducteurs dans des circuits à signaux mixtes, améliorant ainsi la fonctionnalité et les performances globales du circuit.
Quelle est l'importance de son montage en surface ?
Le montage en surface permet un assemblage compact sur les circuits imprimés, améliore la gestion thermique et optimise l'espace dans les applications électroniques.
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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