MOSFET canal N Infineon 3 A 600 V Enrichissement, 5 broches, ThinPAK 5x6
- Code commande RS:
- 217-2541
- Référence fabricant:
- IPL60R1K5C6SATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 217-2541
- Référence fabricant:
- IPL60R1K5C6SATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | ThinPAK 5x6 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 36nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 111W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 8.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 8.8mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier ThinPAK 5x6 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 36nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 111W | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 8.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 8.8mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon New CoolMOS TM ThinPAK 5x6 est un boîtier CMS sans câble spécialement conçu pour les transistors MOSFET haute tension. Ce nouveau boîtier est doté d'un très petit encombrement de 5 x 6 mm 2 et d'un très bas profil avec une hauteur de seulement 1 mm. Cette taille de boîtier nettement plus petite, combinée à ses inductances parasites faibles de référence, peut être utilisée comme un nouveau moyen efficace de réduire la taille de la solution système dans les conceptions à entraînement par densité de puissance. Le boîtier ThinPAK 5x6 se caractérise par une très faible inductance de source 1,6 nH, ainsi que par des performances thermiques similaires à DPAK. Le boîtier permet donc une commutation plus rapide et donc plus efficace des transistors MOSFET de puissance et est plus facile à gérer en termes de comportement de commutation et d'IEM.
Encombrement réduit (5 x 6 mm2)
Bas profil (1 mm)
Faible inductance parasite
Conforme à la directive RoHS
Composé moulé sans halogène
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