MOSFET Infineon canal N, A-220 50 A 600 V, 3 broches

La série de transistors MOSFET à superjonction (SJ) CoolMOS C7 600 V offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au CoolMOS TM CP, offrant un niveau exceptionnel de performances dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance. Les applications d'efficacité et de coût total de possession (TCO) telles que les centres d'hyperdonnées et les redresseurs de télécommunications à haut rendement (>96 %) bénéficient d'un rendement plus élevé offert par CoolMOS C7. Des gains de 0,3 à 0,7 % dans les topologies PFC et de 0,1 % dans les topologies LLC peuvent être obtenus. Dans le cas d'une alimentation de serveur de 2,5 kW, par exemple, l'utilisation de MOSFET CoolMOS C7 SJ 600 V dans un boîtier TO-247 à 4 broches peut entraîner des réductions de coûts d'énergie d'environ 10 % pour la perte d'énergie de l'alimentation.

Paramètres de perte de commutation réduits tels que Q G, C oss, E oss
Valeur de mérite Q G*R DS(on) haut de gamme
Fréquence de commutation accrue
Meilleure R (on)*A au monde
Diode intégrée robuste