MOSFET canal N Infineon 29 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS P7

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Code commande RS:
217-2586
Référence fabricant:
IPW60R120P7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

29A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolMOS P7

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

120mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

95W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

36nC

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.13mm

Hauteur

41.42mm

Largeur

5.21mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjonction (SJ) MOSFET est le successeur de la série CoolMOS TM P6 600 V. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. La meilleure R onxA de classe et la faible charge de grille (Q G) inhérente à la plate-forme de 7e génération CoolMOS TM garantissent un haut rendement.

Robustesse ESD de ≥ 2 kV (HBM classe 2)

Résistance de porte intégrée R G

Diode intégrée robuste

Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface

Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles

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