MOSFET canal N Infineon 386 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 219-6019
- Référence fabricant:
- IPW60R024P7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-6019
- Référence fabricant:
- IPW60R024P7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 386A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS P7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 164nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 291W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 5.21mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 21.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 386A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS P7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 164nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 291W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 5.21mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 21.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Superjonction Infineon 600 V CoolMOS P7 est le successeur de la série CoolMOS TM P6 600 V. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de classe et la faible charge de grille (QG) inhérente à la plate-forme de 7e génération CoolMOS TM garantissent un haut rendement.
Le P7 600 V permet d'excellentes RDS(on)xEoss et RDS(on)XQG de FOM
Résistance de porte RG intégrée
Diode intégrée robuste
Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface
Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles
Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET
Le MOSFET est adapté pour les topologies de commutation difficiles et résonantes telles que PFC et LLC
Excellente robustesse pendant la commutation difficile de la diode de corps vue dans la topologie LLC
Adapté à une grande variété d'applications finales et de puissances de sortie
Pièces disponibles pour les applications grand public et industrielles
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