MOSFET Infineon canal N, TO-247 386 A 650 V, 3 broches

Le transistor MOSFET Superjonction Infineon 600 V CoolMOS P7 est le successeur de la série CoolMOS TM P6 600 V. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de classe et la faible charge de grille (QG) inhérente à la plate-forme de 7e génération CoolMOS TM garantissent un haut rendement.

Le P7 600 V permet d'excellentes RDS(on)xEoss et RDS(on)XQG de FOM
Résistance de porte RG intégrée
Diode intégrée robuste
Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface
Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles
Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET
Le MOSFET est adapté pour les topologies de commutation difficiles et résonantes telles que PFC et LLC
Excellente robustesse pendant la commutation difficile de la diode de corps vue dans la topologie LLC
Adapté à une grande variété d'applications finales et de puissances de sortie
Pièces disponibles pour les applications grand public et industrielles