MOSFET canal N Infineon 386 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS P7

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Code commande RS:
219-6018
Référence fabricant:
IPW60R024P7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

386A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

CoolMOS P7

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

24mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

164nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

900mV

Dissipation de puissance maximum Pd

291W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

16.13mm

Largeur

21.1mm

Hauteur

5.21mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET Superjonction Infineon 600 V CoolMOS P7 est le successeur de la série CoolMOS TM P6 600 V. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de classe et la faible charge de grille (QG) inhérente à la plate-forme de 7e génération CoolMOS TM garantissent un haut rendement.

Le P7 600 V permet d'excellentes RDS(on)xEoss et RDS(on)XQG de FOM

Résistance de porte RG intégrée

Diode intégrée robuste

Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface

Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles

Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET

Le MOSFET est adapté pour les topologies de commutation difficiles et résonantes telles que PFC et LLC

Excellente robustesse pendant la commutation difficile de la diode de corps vue dans la topologie LLC

Adapté à une grande variété d'applications finales et de puissances de sortie

Pièces disponibles pour les applications grand public et industrielles

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