MOSFET canal Type N Infineon 190 A 100 V, 7 broches, TO-263 HEXFET Non

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Code commande RS:
217-2641
Référence fabricant:
IRLS4030TRL7PP
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

190A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-263

Série

HEXFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

4.1mΩ

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

140nC

Dissipation de puissance maximum Pd

370W

Tension maximale de source de la grille Vgs

16 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.55 mm

Longueur

10.35mm

Hauteur

15.3mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple Infineon 100 V dans un boîtier D2-Pak à 7 broches.

Optimisé pour le variateur de niveau logique

Très faible RDS(ON) à 4,5 V VGS

R x Q supérieur à 4,5 V VGS I

Meilleure robustesse de la porte, de l'avalanche et du dV/dt dynamique

Capacité entièrement caractéristique et SOA avalanche

Capacité de diode de corps améliorée dV/dt et dI/dt

Sans plomb

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